Повестка дня:
1. И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин "Ab initio исследование гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов" (доклад по 2 статьям)
Аннотация
Изобретение диодов, транзисторов и микропроцессоров стало одним из ключевых технологических достижений прошлого столетия. Так, благодаря им, у всех нас есть смартфоны, пк и многие другие девайсы. Однако, сегодня дальнейший прогресс в этом направлении приостановился, или другими словами: рост производительности вышел на плато, поскольку было достигнуто пороговое значение размеров затвора транзистора, в 2 нм, ниже которого имеет место быть эффект квантового туннелирования электронов, мешающий работе транзисторов. В связи с этим задача поиска новых альтернативных материалов особо актуальна. И ключевым способом осуществления этого поиска является компьютерное моделирование, которое позволяет с высокой точностью прогнозировать структуру и свойства новый материалов.
С помощью этого метода, а именно с помощью теории функционала плотности, мы осуществляем поиск среди гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, в том числе сегнетоэлектриков, с целью обнаружения интерфейсной проводимости, нетривиальных магнитных и оптических свойств. Так, в рамках доклада будут представлены результаты моделирования гетероструктур LaMnO3/BaTiO3 и Si/BaTiO3, а именно, их структурные, электронные и магнитные свойства.
Рецензент: Р. Шахмуратов
2. А.Л. Степанов. Создание и модификация слоев нанопористого германия при различных температурных условиях (обзор по публикациям)
3. Разное
