Научная сессия и заседание Учёного совета

Повестка дня:

1. Р.И. Баталов¹, Р.М. Баязитов¹, Г.А. Новиков¹, А.Ф. Зацепин², Д.А. Зацепин², Д.В. Бухвалов², Е.А. Бунтов². Влияние импульсной ионной обработки на структуру и оптические свойства эпитаксиальных слоёв нитрида галлия (GaN) на подложке сапфира (Al₂O₃).

¹ Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
² Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Проведена импульсная обработка мощным ионным пучком эпитаксиальных слоёв GaN на подложке сапфира с целью изучения трансформации их структуры и оптических свойств. Применены методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, оптической спектроскопии и фотолюминесценции при 300 К. Установлено, что в результате импульсной ионной обработки в твердофазном режиме структура и состав поверхности слоя GaN не меняются, наблюдается снижение пропускания слоя, красный сдвиг края поглощения и значительное снижение интенсивности дефектной фотолюминесценции с максимумом при 560 нм (жёлтая полоса).

По материалам статей в журналах Applied Surface Science и AIP Conference proceedings (2022).

2. Разное