Научная сессия и заседание Учёного совета

Повестка дня:

1. А.М. Шегеда, С.Л. Кораблева, О.А. Морозов, В.Н. Лисин, Н.К. Соловаров, В.Ф. Тарасов. Динамическая магнитная память и гистерезис-бабочка в фотонном эхо на ионах эрбия в LuLiF₄ и YLiF₄.

При измерении зависимости интенсивности фотонного эха в образцах YLiF₄ и LuLiF₄ с примесными ионами эрбия Er³⁺ от ориентации, величины и направления изменения магнитного поля обнаружен эффект динамической магнитной памяти - гистерезис. В образце записывается и запоминается на время не менее 6 часов при температуре 2 К предыстория его нахождения в магнитном поле определенного направления и величины. Эффект критически зависит от ориентации оптической оси образцов относительно внешнего магнитного поля.

Рецензент: рук. лаб. квантовой оптики и информационных технологий И. З. Латыпов

2. Г.А. Новиков. Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоев Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами (научный доклад от лаб. интенсивных радиационных воздействий).

В данной работе сильно легированные и напряжённые слои Ge:Sb на подложке p-Ge, перспективные для оптоэлектронных приложений, были получены двумя ионно-пучковыми методами – ионной имплантацией и ионным распылением. После указанных методов внедрения примеси Sb проводился импульсный ионный отжиг на импульсном ускорителе ТЕМП для кристаллизации слоёв, а также их оптической и электрической активации. С помощью расчётов оценён нагрев Ge мощным ионным пучком. С помощью комплекса методов исследованы: структура поверхности слоёв, глубинное распределение сурьмы в германии, а также поглощение, фотолюминесценция и фотоотклик в ИК-области (1-10 мкм). Продемонстрировано получение прямозонной ИК-люминесценции при 1.6 мкм и фотодиодов с расширенной до 2 мкм спектральной фоточувствительностью при 300 К.

3. Об экспертизе материалов, предназначенных для открытого опубликования. Актуальная информация.

4. Разное.