Научная сессия и заседание Учёного совета

Повестка дня:

1.  Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, И.А. Файзрахманов, В.А. Шустов (КФТИ, Казань), С.Г. Симакин (ЯФ ФТИ РАН, Ярославль), К.Н. Галкин (ИАПУ ДВО РАН, Владивосток), А.В. Новиков, Н.А. Байдакова (ИФМ РАН, Н.Новгород). Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоев Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами (доклад по материалам статьи в журнал «Оптика и спектроскопия»).

Аннотация.

В данной работе сильно легированные и напряжённые слои германия (Ge) с донорной примесью сурьмы (Sb), перспективные для оптоэлектронных приложений, были получены на монокристаллической подложке p-Ge двумя ионно-пучковыми методами – ионным распылением с последующим импульсным ионным отжигом. Импульсный отжиг проводился на импульсном ускорителе ТЕМП для кристаллизации осаждённых слоёв и активации примеси Sb. С помощью расчётов оценён нагрев Ge мощным ионным пучком. С помощью комплекса методов исследованы глубинное распределение сурьмы в германии до и после отжига, структура слоёв Ge:Sb, их оптическое поглощение, фотолюминесценция и фотоотклик в ИК-области (1-10 мкм). Продемонстрировано получение прямозонной ИК-люминесценции при 1.6 мкм и фотодиодов с расширенной до 2 мкм спектральной фоточувствительностью при 300 К.

Рецензент: Я.В. Фаттахов

2. Разное.