Заседания Учёного совета

Методами времяразрешенного и импульсного ЭПР исследованы короткоживущие состояния фотовозбужденного конъюгата цинкового комплекса порфирина с медным комплексом этилендиамина (ZnPCu). На примере исследования соединения ZnPCu развита методика наблюдения эхо-детектируемого спектра ЭПР фотоиндуцированных состояний для системы со стабильным парамагнитным центром. Данные времяразрешенного и эхо-детектирумого ЭПР и применение нутационной спектроскопии позволили установить, что при фотовозбуждении цинкового комплекса порфирина наблюдается частичный перенос поляризации электронных спинов с его триплетного состояния на состояния комплекса иона меди. В результате спектры ЭПР фотоиндуцированных состояний являются суммой спектров от спин-поляризованных состояний с S=1 и S=1/2.

Рецензент: Тарасов В.Ф.

КФТИ
1. Черников С.К., к.т.н.
2. Садчиков Ю.В., к.т.н.

КНИТУ-КАИ
4. Гортышов Ю.Ф. д.т.н
5. Гуреев В.М. д.т.н.
6. Мингалеев Г.Ф. д.э.н.
7. Халиков И.Ш.

КАМАЗ
7. Валеев Д.Х. к.т.н., главный конструктор
8. Гумеров И.Ф., к.т.н., технический директор
9. Макаров Е.Г., к.т.н., зам. гл. конструктора по новым разработкам автомобильных агрегатов и спецтехники

В работе представлены результаты формирования гетероструктур Ge/Si, Ge/Al₂O₃ и Ge/SiO₂ путем вакуумного осаждения пленок Ge различной толщины (200-600 нм) и их импульсного лазерного отжига. Процессы кристаллизации аморфных пленок Ge под действием импульсного лазерного излучения (t = 80 нс, l = 0.69 мкм) изучены in-situ в условиях оптического зондирования облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (l = 0.53 и 1.06 мкм). Установлены пороговые значения плотности энергии лазерных импульсов, соответствующие образованию расплава и абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. С использованием комплекса структурных методов изучены элементный и фазовый состав пленок, морфология поверхности, кристалличность, распределение Ge по глубине, а также оптические свойства. На основе полученных данных определены оптимальные режимы осаждения и отжига, приводящие к образованию напряженных поликристаллических слоев Ge (по материалам статьи в ЖТФ).

Рецензент – Я.В. Фаттахов