Заседания Учёного совета

Повестка дня:

 1. В.В Чирков, Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, М.М. Бакиров, В.Ф Валеев, А.Е. Денисов "Ионно-лучевой синтез ферромагнитных пленок при имплантации ионов Co⁺ в Si"
При имплантации ионов Co⁺ в пластины монокристаллического кремния во внешнем магнитном поле были синтезированы тонкие ферромагнитные плёнки силицида кобальта. Исследования методом сканирующей магнитополяриметрии показали, что образцы, имплантированные с дозами Co⁺ от 2.4*10¹⁷ ион/см² до 3*10¹⁷ ион/см², обладают одноосной магнитной анизотропией, обусловленной направленным упорядочением пар атомов. Установлено, что внешние механические напряжения, создаваемые при имплантации, не влияют на магнитные свойства пленок силицида кобальта.

2. Лядов Н.М., Базаров В.В., Вагизов Ф.Г., Вахитов И.Р., Дулов Е.Н., Кашапов Р.Н., Носков А.И., Хайбуллин Р.И., Шустов В.А., Файзрахманов И.А. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЁНОК Fe⁵⁷, СФОРМИРОВЫННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОСАЖДЕНИЯ
Тонкие пленки изотопа железа Fe⁵⁷ с толщиной 120 нм были получены на стеклянной подложке методом ионно-стимулированного осаждения. Представлены результаты исследования элементно-фазового состава и магнитных свойств как исходно-осажденных пленок, так и пленок, подвергнутых дополнительному термическому отжигу в условиях вакуума при температуре 450 ºC. Методами рентгеноструктурного анализа, электронной микродифракции и мессбауэровской спектроскопия показано, что исходно-осажденная пленка находится в напряженном нанокристаллическом состояние и содержит наноразмерные, порядка 10 нм, кристаллические включения α-фазы железа. Анализ кривых намагничивания, регистрируемых при комнатной температуре, подтверждает наличие в пленке магнитной α-фазы железа и указывает на сильное влияние остаточных напряжений на магнитные свойства пленки. Последующий термический отжиг образцов стимулирует рост кристаллитов α-фаза Fe до 20 нм. Однако, как следует из данных электронной микродифракции и мессбауэровской спектроскопии, при этом происходит частичное окисление и карбонизация атомов железа. Напряжения в пленке после отжига снимаются, а магнитное поведение  отожженных образцов характеризуются ярко выраженной в плоскости пленки петлей магнитного гистерезиса с коэрцитивным полем ~ 10 мТл и величиной намагниченности насыщения существенно пониженной, по сравнению с намагниченностью α-фаза Fe, что связано окислением пленки.

3. Выдвижение на премию правительства РФ
Тема: "Разработка методологии создания высокоэффективных и экологичных транспортных средств и агрегатов с использованием технологий  компьютерного моделирования, проектирования и конструкционных материалов  с оптимальными технико-экономическими характеристиками." Ю.В. Садчиков (КФТИ), Ю.Ф.Гортышов, В.М.Гуреев (КНИТУ-КАИ) и др..

4.     Разное

Повестка дня:

1. Ситдиков И.Р. РАЗРАБОТКА АППАРАТНО-ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ КОММУТАЦИИ ДАТЧИКОВ ИЗМЕРЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ МАГНИТНО-РЕЗОНАНСНОГО ТОМОГРАФА

Объектом исследования является устройство коммутации датчиков для измерения однородности магнитного поля магнитно-резонансного томографа.

Целью данного этапа работы является:

1.разработка системы датчиков Холла для предварительной настройки основного магнитного поля;
2.разработка электрической принципиальной схемы платы управления устройства коммутации.

В результате выполнения работы разработана система датчиков Холла (6 датчиков) , которая позволяет предварительно настроить основной магнит магнитно-резонансного томографа. Для управления системами датчиков Холла и ЯМР-сенсоров (83 сенсора) разработана система мультиплексирования и система управления датчиками через компьютер.

Для системы управления был проведен поиск подходящего микроконтроллера и микроконтроллерной платы, которые позволят быстро принять команду с компьютера и подключить нужный сенсор системы датчиков.

Ожидаемое устройство отличается новизной и высокими техническими характеристиками. Оно позволит быстро и безошибочно измерить неоднородность магнитного поля и построить объемную карту магнитного поля.

2. Калачев А.А. Общее собрание профессоров РАН

3. Вручение дипломов лауреатам премии им. М.Л. Блатта 2016