Заседания Учёного совета

Повестка дня:

1. Д.А. Турайханов, Д.О. Акатьев, А.В. Васильев, Ф.М. Аблаев, А.А. Калачев. Квантовое хэширование на однофотонных состояниях с орбитальным угловым моментом.

Аннотация:
В данной работе мы создаем квантовый хэш через последовательность однофотонных состояний и реализуем его, используя кодирование орбитального углового момента. Мы экспериментально проверяем стойкость квантовой хеш-функции к столкновениям в зависимости от количества используемых кубитов. Основываясь на этих результатах, мы делаем вывод, что теоретические оценки подтверждены для различных базовых состояний орбитального углового момента и предлагаемый метод может быть полезен в вычислительных и криптографических сценариях. Возможность мультиплексирования различных базисов орбитального углового момента может сделать этот подход еще более эффективным.

(по статье принятой в печать D.A. Turaykhanov, D.O. Akat'ev, A.V. Vasiliev, F.M. Ablayev, A.A. Kalachev, Quantum hashing via single-photon states with orbital angular momentum, Physical Review A)

2. Разное

Повестка дня:

Предложен новый механизм интеркомбинационных переходов (ИКП) в связанных трехспиновых системах, состоящих из хромофора и присоединенного радикала. Показано, что энергия возбужденного состояния хромомфора может перейти на радикал, при наличии спин-орбитального взаимодействия радикала и разных значений обменного парамагнитной частицы с двумя неспаренными электронами хромофора. Этот перенос энергии сопровождается синглет-триплетным ИКП на хромофоре. Эффективность этого процесса резко возрастает, когда энергия электронного возбуждения радикала близка к расщеплению состояний S1-T1 хромофора. Обсуждаются системы, в которых может проявиться этот механизм.

Экспериментально изучены фотофизические свойства ряда «закрученных» молекул- хромофоров. Обсуждаются возможные механизмы поляризации электронных спинов возбужденных триплетов и влияние геометрии молекул на эффективность интеркомбинационных переходов S1-T1.

Повестка дня:

1. И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин "Ab initio исследование гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов" (доклад по 2 статьям)
Аннотация
Изобретение диодов, транзисторов и микропроцессоров стало одним из ключевых технологических достижений прошлого столетия. Так, благодаря им, у всех нас есть смартфоны, пк и многие другие девайсы. Однако, сегодня дальнейший прогресс в этом направлении приостановился, или другими словами: рост производительности вышел на плато, поскольку было достигнуто пороговое значение размеров затвора транзистора, в 2 нм, ниже которого имеет место быть эффект квантового туннелирования электронов, мешающий работе транзисторов. В связи с этим задача поиска новых альтернативных материалов особо актуальна. И ключевым способом осуществления этого поиска является компьютерное моделирование, которое позволяет с высокой точностью прогнозировать структуру и свойства новый материалов.
С помощью этого метода, а именно с помощью теории функционала плотности, мы осуществляем поиск среди гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, в том числе сегнетоэлектриков, с целью обнаружения интерфейсной проводимости, нетривиальных магнитных и оптических свойств. Так, в рамках доклада будут представлены результаты моделирования гетероструктур LaMnO3/BaTiO3 и Si/BaTiO3, а именно, их структурные, электронные и магнитные свойства.
Рецензент: Р. Шахмуратов

2. А.Л. Степанов. Создание и модификация слоев нанопористого германия при различных температурных условиях (обзор по публикациям)

3. Разное

Повестка дня:

1. А.В. Шестаков. Особенности магнитных свойств узкозонных полупроводников CdₓHg₁₋ₓTe:Ag, MnₓHg₁₋ₓTe ( по материалам кандидатской диссертации, второе выступление)

2. Р.М. Еремина. Спиновая динамика в Cu2GaBO5 и Cu2AlBO5 людвигитах

3. Обсуждение кандидатур для участия в конкурсах для молодых ученых

4. Разное