Заседания Учёного совета

В работе представлены результаты формирования гетероструктур Ge/Si, Ge/Al₂O₃ и Ge/SiO₂ путем вакуумного осаждения пленок Ge различной толщины (200-600 нм) и их импульсного лазерного отжига. Процессы кристаллизации аморфных пленок Ge под действием импульсного лазерного излучения (t = 80 нс, l = 0.69 мкм) изучены in-situ в условиях оптического зондирования облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (l = 0.53 и 1.06 мкм). Установлены пороговые значения плотности энергии лазерных импульсов, соответствующие образованию расплава и абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. С использованием комплекса структурных методов изучены элементный и фазовый состав пленок, морфология поверхности, кристалличность, распределение Ge по глубине, а также оптические свойства. На основе полученных данных определены оптимальные режимы осаждения и отжига, приводящие к образованию напряженных поликристаллических слоев Ge (по материалам статьи в ЖТФ).

Рецензент – Я.В. Фаттахов

На спектрометре ЭПР ELEXSYS E580, оснащенном цилиндрическим диэлектрическим резонатором ER4118MD5-W1 Flexline серии исследованы стационарные спектры электронного парамагнитного резонанса примесных ионов гольмия в синтетическом форстерите. В обычном режиме работы с модуляцией магнитного поля обнаружены резонансные линии аномальной формы, представляющие контур поглощения, а не его производную. Изучены условия появления аномальных сигналов и их характеристики. Появление линий аномальной формы объясняется одновременным возбуждением магнитного дипольного и электрического квадрупольного резонансных переходов между электронно-ядерными спиновыми подуровни ионов гольмия.