АНТИОТРАЖАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО ГЕРМАНИЯ

В рамках выполнения госзадания КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН (рук. С.М. Хантимеров) была подана заявка и получен патент на изобретение. Изобретение относится к оптической и оптоэлектронной промышленности, в частности к устройствам таким, как сенсоры изображений, фотодетекторы, солнечные элементы и др., сконструированных с использованием полупроводника- германия. Способ изготовления антиотражающего оптического покрытия на основе пористого германия, формируемого с помощью имплантации подложки монокристаллического германия ионами индия. Изобретение обеспечивает возможность создания тонкого антиотражающего покрытия, характеризуемого низкой отражающей способностью порядка 5 % в широком спектральном видимом диапазоне 250-1050 нм.

Спектры оптического отражения монокристаллической подложки c-Ge и поверхностных пористых слоев, сформированных облучением ионами 115In+ при различных дозах.

Рис. Спектры оптического отражения монокристаллической подложки c-Ge и поверхностных пористых слоев, сформированных облучением ионами 115In+ при различных дозах: (a) 1.8⋅1015; (б) 3.6⋅1015; (в) 1.3⋅1016 и (г) 1.9⋅1016 ион/см2. СЭМ-изображение антиотражающего покрытия (г) приведено на вставке.

Патент на изобретение № 2805380 (https://fips.ru/EGD/6a1679ed-d0e9-4421-9597-7a366d0f467f) «СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АНТИОТРАЖАЮЩЕГО ОПТИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО ГЕРМАНИЯ», авторы: Степанов Андрей Львович, Нуждин Владимир Иванович, Валеев Валерий Фердинандович, Коновалов Дмитрий Александрович.