1. А.А. Суханов, К. Б. Конов, В.К. Воронкова, Е.А. Михайлицына, В.С. Тюрин. Применение импульсной ЭПР-спектроскопии для наблюдения фотоиндуцированных состояний в системе с парамагнитным ионом
Аннотация.
Методами времяразрешенного и импульсного ЭПР исследованы короткоживущие состояния фотовозбужденного конъюгата цинкового комплекса порфирина с медным комплексом этилендиамина (ZnPCu). На примере исследования соединения ZnPCu развита методика наблюдения эхо-детектируемого спектра ЭПР фотоиндуцированных состояний для системы со стабильным парамагнитным центром. Данные времяразрешенного и эхо-детектирумого ЭПР и применение нутационной спектроскопии позволили установить, что при фотовозбуждении цинкового комплекса порфирина наблюдается частичный перенос поляризации электронных спинов с его триплетного состояния на состояния комплекса иона меди. В результате спектры ЭПР фотоиндуцированных состояний являются суммой спектров от спин-поляризованных состояний с S=1 и S=1/2.
Рецензент: Тарасов В.Ф.
2. Р.Р. Гусева. Правила организации и проведения научных работ по РФФИ В 2014 г
1. Выдвижение работы «Перспективные экологичные колёсные транспортные средства с высокими потребительскими свойствами и низким уровнем эксплуатационных затрат» на соискание премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (создание новой техники).
КАМАЗ
7. Валеев Д.Х. к.т.н., главный конструктор
8. Гумеров И.Ф., к.т.н., технический директор
9. Макаров Е.Г., к.т.н., зам. гл. конструктора по новым разработкам автомобильных агрегатов и спецтехники
1. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Шустов (КФТИ), Г.Д. Ивлев, П.И. Гайдук, С.Л. Прокопьев (БГУ, Минск, Беларусь). Структура и оптические свойства вакуумно-осажденных пленок Ge на полупроводниковых и диэлектрических подложках, модифицированных импульсным лазерным излучением Аннотация.
В работе представлены результаты формирования гетероструктур Ge/Si, Ge/Al2O3 и Ge/SiO2 путем вакуумного осаждения пленок Ge различной толщины (200-600 нм) и их импульсного лазерного отжига. Процессы кристаллизации аморфных пленок Ge под действием импульсного лазерного излучения (t = 80 нс, l = 0.69 мкм) изучены in-situ в условиях оптического зондирования облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением (l = 0.53 и 1.06 мкм). Установлены пороговые значения плотности энергии лазерных импульсов, соответствующие образованию расплава и абляционной плазмы Ge в зависимости от количества осажденного Ge и теплофизических параметров подложек. С использованием комплекса структурных методов изучены элементный и фазовый состав пленок, морфология поверхности, кристалличность, распределение Ge по глубине, а также оптические свойства. На основе полученных данных определены оптимальные режимы осаждения и отжига, приводящие к образованию напряженных поликристаллических слоев Ge (по материалам статьи в ЖТФ).
