Важнейшие результаты 2019 г.

Разработка новой методики изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

Исполнители: А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, А.М. Рогов. Казанский физико-технический институту им. Е.К. Завойского ФИЦ КазНЦ РАН

Исследование относится к тематике оптоэлектроники, а именно, к способам изготовления периодических микроструктур на основе материалов с фазовой памятью – халькогенидных стеклообразных полупроводников, выполненных на поверхности оптически-прозрачных подложках. На практике такие микроструктуры могут быть использованы для создания перезаписываемых оптических дисков формата DVD и Blu-Ray, а также энергонезависимых ячеек фазовой памяти (Phase-Change-Memory, PCM cells) и др. Решаемая техническая задача заключается в обеспечении возможности изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников за один технологический цикл в вакууме с помощью имплантации ионами благородных металлов с энергией 4 – 100 кэВ, дозой облучения 1.0×10¹⁵ – 6.5×10²⁰ ион/см² и плотностью тока ионного пучка 2 – 50 мкА/cм² через поверхностную маску.

Изображение, полученное на сканирующем электронном микроскопе, периодических микроструктур из халькогенидного стеклообразного полупроводника (GeSe₅)₈₀B₂₀, после его имплантации ионами Ag⁺ через маску.

Публикации:

А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, А.М. Рогов, Ю.Н. Осин, Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, Патент РФ на изобретение № 2687889, 2019;
A.L. Stepanov, A.M. Rogov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, T.S. Kavetskyy, A.L. Stronski, T. Petkova, P. Petkov, Diffraction graiting on chalcogenide glass (GeSe5)80B20 fabricated by mask ion implantation, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 462 (2020) 187-190.

Возврат к списку